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IGBT模塊
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  • 特點(diǎn)
  • 模塊型號(hào)命名
  • 型號(hào)規(guī)格
特點(diǎn)
? IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融和了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)。
? 具有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn)。
? 具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn)，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)。
模塊型號(hào)命名

電流值：指集中電極直流(連續(xù))電流
內(nèi)部連線方式：T:橋臂連接；L:低端連接；H:高端連接；D:單管結(jié)構(gòu) 封裝形式：A:A-A-pak S:Int-A-pak D:Dual-Int-A-pak
電壓量：集電極發(fā)射極電壓值為:電壓量×10(V)
類型：U型：超快速型 K:具有短路能力的超快速(NPT)

型號(hào)規(guī)格
Part Name VCES Ic@Tc VCE(ON) ICP IGBT Package
  V A@25℃ A@℃ V A Type  
HFGM75D06V1 600 100 75/70 1.9 140 PT V1
HFGM100D06V1 600 130 100/70 2.2 200 PT V1
HFGM150D06V1 600 200 150/70 1.9 350 PT V1
HFGM200D06V2 600 260 200/70 2.2 400 PT V2
HFGM75D06AV1 600 100 75/80 1.5 140 Trench V1
HFGM100D06AV1 600 130 100/80 1.5 200 Trench V1
HFGM150D06AV1 600 210 150/80 1.5 350 Trench V1
HFGM200D06AV1 600 260 200/80 1.5 400 Trench V1
HFGM200D06AV2 600 260 200/80 1.5 400 Trench V2
HFGM300D06AV3 600 360 300/80 1.5 600 Trench V3
HFGM400D06AV3 600 450 400/80 1.5 800 Trench V3
HFGM75D12SV1 1200 100 75/80 2.8 200 NPT V1
HFGM100D12SV1 1200 130 100/70 3.2 200 NPT V1
HFGM150D12SV3 1200 200 150/70 2.8 350 NPT V3
HFGM200D12SV3 1200 260 200/70 3.2 400 NPT V3
HFGM100D12AV1 1200 130 100/80 1.7 200 Trench V1
HFGM150D12AV3 1200 200 150/80 1.7 350 Trench V3
HFGM200D12AV3 1200 260 200/80 1.7 400 Trench V3
HFGM300D12AV3 1200 360 300/80 1.7 600 Trench V3
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